Первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла могут создать в Воронеже. Для этого ГК «Элемент» инвестирует в предприятие НИИЭТ 4,4 млрд рублей. Об этом сообщил медиаресурс «ТЕХНОСФЕРА.РОССИЯ» в понедельник, 21 июля.

Крупные средства направят для развития на воронежском предприятии мощностей по выпуску силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Ключевым элементом проекта станет запуск кристального производства электронных компонентов на GaN, что дополнит уже существующие на НИИЭТ мощности по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов. Воронежское предприятие выбрано не случайно – у него есть опыт серийного производства силовых приборов на нитриде галлия.

GaN-технологии активно внедряют в США, ЕС, Японии и Китае. Например, они используются в станциях 5G, зарядке электромобилей Tesla и в спутниках SpaceX. Скорость переключения у таких транзисторов в 10-100 выше, чем у кремния. Это позволяет уменьшать размеры трансформаторов и минимизировать потери КПД. Кроме того, термостойкость у GaN-транзисторов выше, чем у кремниевых.

Как отмечает издание, воронежские инженеры создали ряд силовых GaN-приборов. Проект реализуют с использованием льготного государственного финансирования. Плановая мощность нового производства составит 5500 пластин в 200-мм эквиваленте в год.